[发明专利]制备栅氧化层的方法在审
| 申请号： | 202011215525.9 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112382612A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 沈耀庭;周春 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制备栅氧化层的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括提供一半导体衬底，半导体衬底包括第一器件区域和第二器件区域，其中第一器件区域与第二器件区域上形成的半导体器件需要不同厚度的栅氧化层；在第一器件区域进行阱离子注入形成第一阱区，在第二器件区域进行阱离子注入形成第二阱区；在第二阱区进行氮离子注入工艺；进行退火工艺激活第一阱区和第二阱区内注入的离子；以及进行一步栅氧化层生长工艺，则在第一阱区上形成的栅氧化层的厚度大于在第二阱区上形成的栅氧化层的厚度，可使通过一步栅氧化层生长工艺形成不同厚度的栅氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧化 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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