[发明专利]一种半导体外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202011219662.X | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112038230A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 林慧妮;林群证;龚柏铧 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体外延结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在衬底上形成牺牲氧化层；以牺牲氧化层为阻挡层，对衬底进行离子注入，获得第一半导体结构；将多个第一半导体结构分为第一组单元和第二组单元，第一组单元与所述第二组单元间隔穿插设置，且相邻所述第一组单元的第一半导体结构与所述第二组单元的第一半导体结构的所述外延所在侧相对设置；采用湿法刻蚀同时对第一组单元和第二组单元的所述第一半导体结构进行刻蚀，去除部分牺牲氧化层；在剩余牺牲氧化层表面形成栅极氧化层；在栅极氧化层上形成栅极层，获得半导体外延结构。本发明解决了由于栅极氧化层厚度不均匀而导致的产品良率降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成（北京）科技有限公司，未经晶芯成（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011219662.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
