[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011221313.1 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114447217A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 苏士炜;林大钧;张智伟;蔡滨祥;简廷安 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，一电阻式随机存取存储器位于该基底上，包含有一上电极、一下电极以及一电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，以及一帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有一上半部分以及一下半部分，且该上半部分与该下半部分所包含的应力不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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