[发明专利]一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构及LED芯片在审
| 申请号： | 202011221943.9 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112201672A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 孙山峰 | 申请（专利权）人： | 无锡新仕嘉半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L27/02 |
| 代理公司： | 无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 宋春荣 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高LED反向抗静电冲击能力的结构，包括主二极管D1，所述主二极管D1上设有金属电极P1和金属电极N1；所述主二极管D1正向设置；还包括反向二极管D2和电阻R1，所述反向二极管D2和所述电阻R1串联后与所述主二极管D1并联。进一步地，所述反向二极管D2上设有金属电极P2和金属电极N2；所述电阻R1串联在所述金属电极P2上。LED芯片集成一个反向抗静电冲击保护结构，该保护结构由一个电阻和二极管正向构成，该结构可以保护LED芯片主芯片方向不会被高压静电打坏而失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 led 反向 抗静电 冲击 能力 结构 芯片 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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