[发明专利]射频SOI结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011228137.4 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112038284B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 戴彬;刘海彬;向可强;班桂春;刘森 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种射频SOI结构及其制备方法，制备方法包括：提供第一SOI晶圆和第二SOI晶圆，对二者进行处理并键合得到双埋氧隔离SOI结构，制备第一隔离隔离结构、金属接触结构和第二隔离结构，形成射频模块、模拟模块及数字模块，模拟模块与数字模块之间形成有第一隔离结构，射频模块与模拟模块之间以及射频模块与所数字模块之间形成有第一隔离结构和第二隔离结构。本发明利用双埋氧隔离SOI结构，可降低衬底耦合噪声和电路间串扰；可实现射频、模拟和数字电路的集成；利用键合金属和缓冲层制造双埋氧隔离SOI，可实现低温键合，减小杂质污染；中间金属层可灵活进行不同电路的背偏压调节，从而实现不同频率的调制，最大化系统性能。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 soi 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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