[发明专利]基于同位素或其二级质谱离子同位素丰度分布的质谱定量分析方法在审

专利信息
申请号: 202011229273.5 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN112326851A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 刘斌 申请(专利权)人: 刘斌
主分类号: G01N30/06 分类号: G01N30/06;G01N30/72;G01N30/88
代理公司: 长春众益专利商标事务所(普通合伙) 22211 代理人: 赵正
地址: 130000*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种基于同位素或其二级质谱离子同位素丰度分布的质谱定量分析方法,属于分析检测技术领域。其分别步骤是确定待测物与工作对照品的同位素分布情况及多反应监测离子对;利用一级质谱同位素分布规律或二级离子同位素分布规律计算工作对照品中各个同位素峰或MRM离子对对应的浓度;利用工作对照品母离子同位素峰([M+n+X]i+)或MRM离子对的峰面积与对应的浓度绘制校正曲线;将待测物的同位素峰面积或MRM对应峰面积带入上述校正曲线,计算得出待测物浓度。本发明使得校正曲线,质控样品与实际样品的基质环境完全相同,同时无需额外准备校正曲线样品,极大提高分析的效率及检测结果准确度与可靠性。
搜索关键词: 基于 同位素 二级 离子 分布 定量分析 方法
【主权项】:
暂无信息
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