[发明专利]一种半导体器件的制造方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202011232024.1 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN112466804B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 杨妍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法及半导体器件，涉及半导体器件制造技术领域，用于避免在键合过程中产生气泡，降低键合失效以及基底破碎的风险，提高半导体器件的工作性能。该半导体器件的制造方法包括：提供一基底，基底具有键合面；于键合面，刻蚀基底位于目标高度以上的部分以形成第一开口槽；在基底上形成覆盖基底和第一开口槽的键合材料层，并在键合材料层上键合载片晶圆；对基底背离键合面的一面进行减薄处理；于基底背离键合面的一面，刻蚀基底以形成第二开口槽，第二开口槽与第一开口槽连通；去除键合材料层和载片晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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