[发明专利]存储器的制造方法及存储器在审
| 申请号： | 202011233641.3 | 申请日： | 2020-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN114446890A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张军超;陈涛 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种存储器的制造方法及存储器，包括：提供基底，在基底上形成第一隔离层及分立的位线，第一隔离层位于位线远离基底的表面且还位于相邻位线之间；去除部分厚度的第一隔离层，形成分立的第一沟槽；形成填充第一沟槽的字线，字线与位线之间具有部分厚度的第一隔离层，字线具有相对的第一侧壁及第二侧壁，在字线之间形成分立的通孔，通孔暴露字线相对的第一侧壁、第二侧壁及位线表面；在第一侧壁表面形成第一介质层，在第二侧壁表面形成第二介质层；第一介质层的等效栅介质层厚度大于第二介质层的等效栅介质层厚度；形成填充通孔的有源层。本发明实施例能够提高字线、位线及有源层的排列密度，进而缩小存储器的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
