[发明专利]半导体分立器件的制造方法及其钝化装置有效
| 申请号： | 202011235657.8 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112103197B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李晓锋;黄富强 | 申请（专利权）人： | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 地址： | 317600 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体分立器件的制造方法及其钝化装置，方法中由于使用装有钝化胶体溶液的压力容器将钝化胶体溶液喷洒于所述硅片的表面，使所述硅片表面中的沟槽区和台面区均覆盖有预设厚度的钝化胶体溶液，这种将钝化胶体溶液通过压力容器喷洒在硅片表面的方法，能够使得硅片表面的钝化层更均匀，其厚度更容易控制，制作效率更高，由于其均匀性和表面厚度易掌握，提高了该半导体器件的稳定性、可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 分立 器件 制造 方法 及其 钝化 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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