[发明专利]QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件有效
| 申请号： | 202011237249.6 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112420895B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 段淼;李冬泽 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L27/15;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤：对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理，得到多个第二miniLED单体；将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上，所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布；在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层；将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合，得到QD‑miniLED发光器件。本申请实施例提供的QD‑miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理，从而降低miniLED单体的表面的浸润性，从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时，遮光材料层在miniLED单体的发光面残留，从而可以提高QD‑miniLED发光器的质量，降低不良率。 | ||
| 搜索关键词： | qd miniled 发光 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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