[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011238738.3 | 申请日： | 2020-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN112802839A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 清水和宏;川崎裕二;今坂俊博;吉野学 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 向自举电容(39)供给充电电流的半导体装置具有半导体层(1)、N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)、P+型扩散区域(4a)及P型扩散区域(3a)、N+型扩散区域(5a)、源极电极(10b)、漏极电极(10c)、背栅极电极(10a)、栅极电极(9a)。N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)与自举电容(39)的第1电极电连接。电源电压(Vcc)供给至N+型扩散区域(5a)。源极电极(10b)与第3半导体区域(N+型扩散区域(5a))连接且被供给电源电压。背栅极电极(10a)连接至与N+型扩散区域(5a)分离的区域，并且接地。源极电极(10b)与背栅极电极(10a)之间的耐压大于电源电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
