[发明专利]缺陷石墨烯SERS基底的制备方法在审
申请号: | 202011241248.9 | 申请日: | 2020-11-09 |
公开(公告)号: | CN112592440A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 陈少娜;梁艳华;代忠旭 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | C08F292/00 | 分类号: | C08F292/00;C08F220/56;C08F220/06;C08F220/04;C08F226/06;C08J9/26;G01N21/65;C08L51/10 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了缺陷石墨烯SERS基底的制备方法,制备方法包括:(1)合成银纳米粒子和缺陷石墨烯,将得到的粒子和石墨烯分别洗涤真空干燥。(2)合成缺陷石墨烯/银杂化材料,将得到的产物真空干燥。(3)用硅烷试剂对缺陷石墨烯/银复合材料进行改性,将得到的产物真空干燥。(4)运用表面分子印迹技术在缺陷石墨烯/银复合材料表面聚合分子印迹聚合物,制备核‑壳分层活性SERS基底。本发明制备方法优点1在于利用了石墨烯的缺陷锚定Ag纳米粒子,使其分散更均匀;优点2在于利用缺陷位点结合分子印迹聚合物,进一步提高SERS基底吸附性能。该方法获得的基底具有高灵敏度,选择性和可重复使用性。 | ||
搜索关键词: | 缺陷 石墨 sers 基底 制备 方法 | ||
【主权项】:
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