[发明专利]一种电容器孔和DRAM的制造方法在审
| 申请号： | 202011254333.9 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114496928A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姜东勋;李俊杰;周娜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 牛洪瑜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电容器孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了如何通过SLP1/SLP2缩减孔的临界尺寸的问题。该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以第三掩模层图案为掩模，对待刻蚀层进行刻蚀以形成电容器孔。通过控制侧墙材料层的厚度来缩减孔的临界尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 dram 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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