[发明专利]一种低噪声带隙基准电路有效
| 申请号： | 202011255285.5 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112379715B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄少卿;罗永波;宣志斌;肖培磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开一种低噪声带隙基准电路，属于模拟电路领域。所述低噪声带隙基准电路包括电流源S1，PNP三极管Q1～Q9，PMOS管M1～M8，NMOS管M9～M11，电阻R1和R2，其中PNP三极管Q1、Q2，Q3和NMOS管M9～M11构成放大器结构。通过该种结构的连接方式，可实现基准电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 噪声 基准 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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