[发明专利]一种传送腔室的控温装置及方法在审
| 申请号： | 202011256787.X | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114496836A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 金建澔;周娜;李琳;王佳;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 姚东华 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种传送腔室的控温装置及方法，涉及半导体设备制造技术领域，用于解决晶圆在各工艺中的温度不相同，这导致晶圆进入下一个工艺时，其当前温度会对下一个工艺造成一定程度的负面影响的问题。装置包括：移动组件、控制组件和控温组件；移动组件设置在传送腔室中承载晶圆；控温组件设置在传送腔室底部，包括冷却区组件和加热区组件；控制组件用于检测晶圆表面温度及晶圆对应的待执行工艺；根据晶圆表面温度以及晶圆对应的待执行工艺，控制移动组件将晶圆移动到预设的位置，并生成相应的控温指令；在晶圆到达预设位置后，控制控温组件执行控温指令。本发明提供的技术方案能够提高工艺的整体效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 传送 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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