[发明专利]光电探测基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202011256874.5 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112382682A | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 贾倩;林鸿辉;王英涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0288;H01L31/105;H01L31/20;H01L27/146;G06K9/00 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本文公开了一种光电探测基板及其制备方法、显示装置。光电探测基板包括:衬底基板和设置于衬底基板上的光电二极管,光电二极管包括光电转换层,光电转换层包括第一半导体层和第二半导体层以及设置于第一半导体层和第二半导体层之间的本征层,第二半导体层位于第一半导体层远离衬底基板的一侧,本征层邻近第二半导体层一侧的带隙大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙。本文通过将本征层邻近第二半导体层一侧的带隙设置为大于本征层邻近第一半导体层一侧的带隙,本征层靠近第二半导体层的一侧的宽带隙能够减少对指纹反射光的吸收,本征层靠近第一半导体层的一侧的窄带隙能够增加对指纹反射光的吸收,提升了光电探测基板的检测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 光电 探测 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的