[发明专利]半导体工艺腔室

摘要

本申请公开一种半导体工艺腔室，所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、上电极、下电极、屏蔽罩和阻抗调节机构，其中：屏蔽罩设置于腔室本体上，且两者形成容纳腔，上电极、下电极和阻抗调节机构均设置于容纳腔中，上电极与下电极相对设置，上电极位于下电极和屏蔽罩之间，且电悬浮设置，屏蔽罩和下电极均接地；阻抗调节机构可移动地与屏蔽罩相连，且阻抗调节机构与屏蔽罩电连接，阻抗调节机构可远离或靠近屏蔽罩移动，以调节阻抗调节机构与上电极之间的距离；和/或，阻抗调节机构可平行于屏蔽罩移动，以改变阻抗调节机构与上电极的相对区域。上述方案能够解决晶圆镀膜的均匀性较差的问题。