[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202011260979.8 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112838058A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 程仲良;方子韦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文公开一种具有双金属覆盖的导孔接触结构的半导体装置结构及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含形成源极/漏极(S/D)区域及栅极结构于鳍片结构上；分别形成S/D接触结构及栅极接触结构于S/D区域及栅极结构上；分别形成第一及第二导孔接触结构于S/D接触结构及栅极接触结构上；以及分别形成第一及第二互连结构于第一及第二导孔接触结构上。形成第一及第二导孔接触结构包含：分别形成插设在介于第一顶金属覆盖层与第一底金属覆盖层之间的第一导孔接触插塞、及插设在介于第二顶金属覆盖层与第二底金属覆盖层之间的第二导孔接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
