[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，半导体器件包括半导体结构、设置在半导体结构中且在第一方向上相邻设置的过渡沟道结构阵列和虚拟沟道结构阵列；过渡沟道结构阵列包括与虚拟沟道结构阵列相邻的边缘过渡沟道结构列，边缘过渡沟道结构列包括沿第二方向间隔排布的多个边缘过渡沟道结构，第二方向与第一方向垂直设置；虚拟沟道结构阵列包括与边缘过渡沟道结构列相邻的边缘虚拟沟道结构列，边缘虚拟沟道结构列包括沿第二方向间隔排布的多个边缘虚拟沟道结构；任意一个边缘虚拟沟道结构与相邻的边缘过渡沟道结构之间的最短距离连线方向偏离所述第一方向。本申请可以避免边缘虚拟沟道孔的尖角问题，从而避免三维存储器件漏电。