[发明专利]具有层压介电膜的半导体结构及制造半导体结构的方法在审
| 申请号： | 202011268294.8 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112802826A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | D·欧曼;D·M·陶 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“具有层压介电膜的半导体结构及制造半导体结构的方法”。本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体材料区，具有主表面；以及第一绝缘结构，在该主表面上方。第一导电电极在该第一绝缘结构上方，并且层压膜结构在该第一导电电极上方。该层压膜结构包括：第一膜，该第一膜与该第一导电电极相邻，该第一膜包含金红石相二氧化钌；以及第二膜，该第二膜在该第一膜上方，其中该第二膜包含高介电常数介电材料。第二导电电极在该层压膜结构上方。在一些示例中，使用原子层沉积来提供该第一膜。在一些示例中，该第二膜包含使用原子层沉积形成的金红石相二氧化钛。在一些示例中，该层压膜结构可用作MIM电容器的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 层压 介电膜 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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