[发明专利]晶圆键合结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011269556.2 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112397467A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 赵宇航;杨帆;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L21/18;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合结构及其制作方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；将第一晶圆和第二晶圆键合；第一晶圆和第二晶圆中具有开孔，开孔贯穿第二晶圆和部分厚度的第一介质层且暴露出第一金属层；形成焊盘，焊盘位于开孔的底部的隔离层上且与第一金属层电连接。本发明将焊盘形成在通至第一晶圆(下晶圆)的开孔中，焊盘制作在第一晶圆(下晶圆)上，如此一来，焊盘与第一晶圆中待引出的第一金属层之间的引线(金属连线)距离缩短，焊盘与第一金属层之间的层间的电容也变小，因此，晶圆键合结构中焊盘(pad)的寄生电容变得更小。本发明不仅降低了焊盘的寄生电容，而且减少了工艺步骤从而节省了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆键合 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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