[发明专利]一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 202011276517.5 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112299871A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C04B38/06 | 分类号： | C04B38/06;C04B35/565;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人： | 王艳萍 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种含碳化硅膜的多孔陶瓷的制备方法，它涉及碳化硅膜的制备方法。它是要解决现有的碳化硅薄膜的制备方法碳化硅薄膜厚薄不均的技术问题。本方法：将粗、细两种碳化硅粉末混合后，加入到加入到无水非极性溶剂中，再加二三价金属醇盐，搅拌混合得到碳化硅分散液Ⅰ；将水与正丁醇的混合液滴入碳化硅分散液Ⅰ中，混合均匀得到碳化硅分散液Ⅱ，干燥得到处理过的碳化硅粉末；用处理过的碳化硅粉末、分散剂和烧结助剂加水制备浆液；多孔陶瓷支撑体浸入浆液、干燥后烧结，得到含碳化硅膜的多孔陶瓷。该碳化硅膜厚度均匀、致密、裂痕少，机械强度高。可用强酸强碱强氧化条件下的污水净化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 多孔 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
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