[发明专利]一种高速开关结构及制备方法在审
| 申请号： | 202011279267.0 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112259601A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;鞠建宏;倪胜中 | 申请（专利权）人： | 江苏帝奥微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 226000 江苏省南通市崇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高速开关结构及制备方法，该高速开关包括：P型衬底、浅槽隔离及深槽环，通过在MOS开关管的隔离PN结侧壁形成深槽环，并填充低介电常数介质的方法，取代现有技术中隔离PN结的侧壁电容，消除了隔离阱的PN结侧壁电容，同时，对隔离阱偏置高电位，进一步降低了隔离阱与衬底以及隔离阱与MOS开关管体区的PN结底面电容，从而降低MOS开关器件的信号通道与地之间的寄生电容，实现的高速信号带宽性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 开关 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏帝奥微电子股份有限公司，未经江苏帝奥微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011279267.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氯硅烷纯化系统的方法及装置
- 下一篇：一种暗杆式阀门开度指示装置
- 同类专利
- 专利分类
