[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011279435.6 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN114512468A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底；导电柱，导电柱至少位于基底中；电连接层，电连接层与导电柱的端部相连接，且导电柱朝向电连接层的端部具有第一凸起部以及第一凸起部围成的至少一个凹槽，电连接层在与凹槽相对应的位置具有第二凸起部，第二凸起部内嵌于凹槽内。本发明实施例有利于降低电连接层从导电柱端面脱落的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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