[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，先形成包括存储区和阶梯区的堆叠层，再刻蚀掉存储区顶部的至少两对层间绝缘层和层间牺牲层，在刻蚀后的堆叠层上形成一层绝缘层，接着去除位于阶梯区顶部的所述绝缘层，最后去除位于阶梯区顶部的层间牺牲层，同时使堆叠层的表面平坦化。这样在存储区的顶部是绝缘层，在阶梯区的顶部还是层间绝缘层和层间牺牲层交替堆叠的结构，可以大大降低刻蚀台阶时的工艺难度。另外，通过先将阶梯区的绝缘层去除，后续进行化学机械研磨时，在存储区顶部的绝缘层与阶梯区顶部的堆叠结构交界处，可以减少形成凹槽、凸起或高度差等缺陷。