[发明专利]一种自支撑超薄金刚石膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011280701.7 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112430803B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 刘金龙;朱肖华;屠菊萍;邵思武;安康;魏俊俊;李成明;陈良贤 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/02;C23C16/56;C23C16/511
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种自支撑超薄金刚石膜的制备方法,属于金刚石自支撑膜生长技术领域。工艺步骤为:a.以抛光后表面粗糙度低于30nm的金刚石膜为衬底,经化学气相沉积法在衬底表面沉积一层100‑3000nm超纳米金刚石薄层,引入高浓度的碳源,构筑的碳‑碳键网络层,有利于外延金刚石膜的形核与生长,实现高质量外延层生长;b.接着在其表面同质外延生长厚度为10‑300μm多晶金刚石膜,沉积结束后,根据要求对表面进行研磨抛光;c.然后对其进行热处理,在高温作用下超纳米金刚石在晶界处形成乱层石墨结构或非晶碳,从而形成平整稳定的石墨层;d.最后通过选择性刻蚀石墨层将衬底与外延层分离,解决了厚度10‑300μm的自支撑超薄金刚石膜的难以兼顾高质量、低表面光洁度、大尺寸的问题。
搜索关键词: 一种 支撑 超薄 金刚石 制备 方法
【主权项】:
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