[发明专利]掩膜板以及三维存储器的制作方法

摘要

本发明提供了一种掩膜板以及三维存储器的制作方法。该掩膜板中的对准图形包括多个对准单元，对准单元沿第一方向间隔设置，相邻对准单元之间的最小间距为H1，各对准单元由沿第二方向间隔设置的多个对准区域组成，相邻对准区域之间的最小间距为H2，H1大于H2，各对准区域具有在第一方向上的第一长度以及在第二方向上的第二长度，第一长度与第二长度之比大于1，第一方向与第二方向之间具有夹角。在相同尺寸的对准图形的前提下，本申请能够将传统的掩膜板中位于对准单元中同一行的对准区域连通，通过扩展其中对准区域的尺寸，使得利用该掩膜板形成的对位孔能够保证填充足够的导电材料，保证了后续光刻工艺中的对准信号，提高了对准效果。