[发明专利]空气桥制作方法、空气桥及电子设备有效
申请号: | 202011288110.4 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112103241B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 张文龙;杨楚宏;张胜誉 | 申请(专利权)人: | 腾讯科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L21/764 | 分类号: | H01L21/764;H01L29/06;H01L23/66 |
代理公司: | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人: | 王鹏健 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请的实施例提供了一种空气桥制作方法、空气桥及电子设备。该空气桥制作方法包括:在衬底上涂覆第一层光刻胶;在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶;对所述第二层光刻胶进行曝光处理、显影处理及定影处理,以在所述第二层光刻胶上形成沉积桥撑的图形化结构;透过所述图形化结构刻蚀掉指定区域内的第一层光刻胶,以在所述衬底上形成阻挡沉积材料向周边扩散的结构,所述指定区域包含所述图形化结构的顶部开口在所述第一层光刻胶上形成的投影区域;在刻蚀掉所述指定区域内的第一层光刻胶后露出的衬底表面沉积桥撑结构,并基于所述桥撑结构形成空气桥。本申请实施例的技术方案可以实现对空气桥桥撑角度的有效控制及调整。 | ||
搜索关键词: | 空气 制作方法 电子设备 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造