[发明专利]一种横向PNP晶体管抗饱和结构及其应用在审
| 申请号： | 202011290880.2 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397572A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 师娅;刘智 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/73;H01L29/735;H01L27/082 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向PNP晶体管抗饱和结构及其应用，第一P+扩散区、第二P+扩散区和N+扩散区形成第一横向PNP晶体管QP1，且第一P+扩散区和第二P+扩散区分别为第一横向PNP晶体管QP1的发射区和集电区；第二P+扩散区、第三P+扩散区和N+扩散区形成第二横向PNP晶体管QP2，且第二P+扩散区和第三P+扩散区分别为第二横向PNP晶体管QP2的发射区和集电区；第一P+扩散区、第三P+扩散区和N+扩散区形成第三横向PNP晶体管QP3，且第一P+扩散区和第三P+扩散区分别为第三横向PNP晶体管QP3的发射区和集电区。本发明可以大大降低横向PNP晶体管导通时的饱和程度，从而大大缩短横向PNP晶体管退饱和时间，加快控制信号的传输速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 pnp 晶体管 饱和 结构 及其 应用 | ||
【主权项】：
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