[发明专利]晶体管器件及其形成方法、集成芯片在审
| 申请号： | 202011291682.8 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113314602A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 奥雷利安·高迪尔·布伦;蔡俊琳;余俊磊;陈柏智;王云翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/778;H01L29/78;H01L21/335;H01L21/336;H01L27/085;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的源极接触件。源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间第一侧和相对的第二侧。漏极接触件设置在衬底上方，并且沿着第一方向与源极接触件分隔开。栅极结构设置在源极接触件和漏极接触件之间的衬底上方。栅极结构沿着源极接触件的面向漏极接触件的第一侧延伸，并且还包裹源极接触件的第一端部和相对的第二端部。本发明的实施例还涉及晶体管器件的形成方法、集成芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 及其 形成 方法 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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