[发明专利]浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法在审
| 申请号： | 202011292942.3 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112234024A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 邱元元;黄鹏;郭振强 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种浅沟槽隔离结构的顶角圆化方法。包括：提供半导体硅衬底，刻蚀半导体硅衬底形成浅沟槽结构；在浅沟槽结构的内壁上形成第一氧化层；在浅沟槽结构的第一氧化层表面上生长形成氮化硅层；向生长形成有氮化硅层的浅沟槽隔离结构中，填充隔离介质层；去除位于浅沟槽结构顶角周侧的氮化硅层，使得剩余氮化硅层的顶端与半导体硅衬底上表面之间形成高度差，使得浅沟槽结构顶角周侧与隔离介质层之间形成凹槽；去除位于凹槽中的第一氧化层，使得位于凹槽中的半导体硅衬底表面外露；通过湿氧氧化工艺，使得外露于凹槽中的半导体硅衬底与氧气反应，使得浅沟槽结构顶角位置处的半导体硅衬底圆化。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 顶角 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华虹半导体（无锡）有限公司，未经华虹半导体（无锡）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011292942.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
