[发明专利]防暗流CIS浅沟槽隔离结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011295974.9 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112349741A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 邱元元;黄鹏;郭振强 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种防暗流CIS浅沟槽隔离结构及其制作方法。其中，结构包括：浅沟槽结构，所述浅沟槽结构由半导体衬底层的上表面向下延伸，将CIS器件相邻两个像素单元隔离开；氧化膜，所述氧化膜覆盖在所述浅沟槽结构的内壁上；负电荷吸附膜，所述负电荷吸附膜覆盖在所述氧化膜上，用于吸附阻挡像素单元中漂移的负电荷；隔离介质层；在所述浅沟槽结构中，覆盖在所述氧化膜上的负电荷吸附膜包围形成容置空间，所述隔离介质层填充在所述容置空间中。该方法能够制作出该防暗流CIS浅沟槽隔离结构。本申请提供的防暗流CIS浅沟槽隔离结构及其制作方法，可以解决相关技术中浅沟槽隔离结构暗电流的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 暗流 cis 沟槽 隔离 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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