[发明专利]GaN基探测器在审
| 申请号： | 202011296081.6 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112420856A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 杨天鹏;康建;郑远志;陈向东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/105 |
| 代理公司： | 北京华智则铭知识产权代理有限公司 11573 | 代理人： | 沈抗勇 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及探测器技术领域，且公开了GaN基探测器，包括衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层，所述衬底、GaN缓冲层、n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层从下至上依次连接设置，所述n型欧姆层上设置有n型接触层，所述p型欧姆层上设置有p型接触层，所述n型欧姆层、本征型GaN有源层和p型欧姆层外覆盖有一层钝化层，所述本征型GaN有源层和p型欧姆层为锥台形结构。本发明增强了欧姆接触性能，保证了探测器的稳定性和响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | gan 探测器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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