[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件有效
| 申请号： | 202011296157.5 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112103390B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李洋;张颖玲 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，其中，所述方法包括：形成半导体堆叠结构；选取所述半导体堆叠结构中的至少一层作为待处理层，在第一方向上，对所述待处理层进行刻蚀，以形成沿第二方向交替排列的第一刻蚀间隙和第一相变结构体，所述第一相变结构体的表面具有第一粗糙度，所述第一方向垂直于所述第二方向；对每一所述第一相变结构体的表面进行粗糙化处理，以使得处理后的第一相变结构体的表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度大于所述第一粗糙度；在所述处理后的第一相变结构体周围沉积第一封装层，形成所述半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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