[发明专利]包括具有裙部区域的栅极结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202011299684.1 | 申请日： | 2016-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN112420842A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;严命允;朴永俊;李廷骁;河智龙;黃俊善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：有源鳍，其从衬底向上突出，并且在第一方向上延伸；以及栅极结构，其在以与有源鳍交叉的第二方向上延伸，其中栅极结构的与有源鳍接触的下部的第一宽度大于栅极结构的与有源鳍间隔开的下部的第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 区域 栅极 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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