[发明专利]一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺在审
| 申请号： | 202011301531.6 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112420490A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李秀丽;邹宇;张平;郭钰;彭同华;杨建 | 申请（专利权）人： | 江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王欢 |
| 地址： | 221000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种抛光后SiC Wafer衬底的湿法清洗工艺，包括以下步骤：将抛光后SiC Wafer衬底先进行碱液除脂清洗，再进行表面活性剂的乳化清洗，再进一步清洗，得到清洗后衬底；所述进一步清洗的方式选自超声震荡清洗、弱酸清洗、改进RCA湿法清洗和螯合剂的络合清洗中的一种或多种。该清洗工艺简单，操作无安全隐患；清洗后的Wafer表面洁净程度高，表面粗糙度较小，进一步提高衬底的品质，减少外延片上微颗粒的聚集。使用表面缺陷检测仪测定，≥5μm的颗粒较传统工艺平均降至30个以内/片，≥0.13μm颗粒一次去除率达90％以上；通过TXRF测定，离子残留量低至0.1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 抛光 sic wafer 衬底 湿法 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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