[发明专利]III族氮化物层叠基板和半导体元件在审
| 申请号： | 202011302621.7 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112838148A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章;今野泰一郎;木村健司 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体元件。提供能够提高形成在基底基板上的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：基底基板；第一层，其形成在基底基板上且由氮化铝构成；以及第二层，其形成在第一层上且由氮化镓构成，第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的(0002)衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的(10‑12)衍射的半值宽度为200秒以下。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 层叠 半导体 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛奥科思有限公司;住友化学株式会社，未经赛奥科思有限公司;住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011302621.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
