[发明专利]存储单元、掩膜版以及SRAM器件

摘要

一种存储单元、掩膜版以及SRAM器件，存储单元包括：基底，基底包括沿第一方向并行排布的电源区、位线区和接地区，且在第二方向上，位线区位于电源区和接地区之间，第二方向和第一方向垂直；位线金属层，位于位线区，且位线金属层沿第一方向延伸；多个分立的接地金属层，沿第一方向排布于接地区；多个分立的电源金属层，沿第一方向排布于电源区。本申请实施例中，在第一方向上，多个电源金属层间隔排布，电源金属层呈岛状(island)，与位线金属层之间的空间更大，从而多个间隔排布的电源金属层与位线金属层的电容耦合效应较弱，在存储单元工作时，能够降低存储单元的RC延迟，提高存储单元的读取性能。