[发明专利]一种制备稀土永磁体的方法在审
| 申请号： | 202011319853.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112466645A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄书林;郝志平;罗赣;白兰 | 申请（专利权）人： | 北京麦戈龙科技有限公司;天津沃尔斯科技有限公司;包头麦戈龙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F41/18;H01F41/20;H01F1/055;H01F1/057 |
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| 地址： | 101300 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备稀土永磁体的方法，属于永磁体制备领域。一种制备稀土永磁体的方法，在永磁体表面以物理气相沉积的方式沉积复合膜或合金；所述物理气相沉积的方式采用磁控溅射或蒸发镀；在沉积复合膜或合金的永磁体进行耐高温氧化铝、氧化锆或氮化硅物质附着处理；在沉积复合膜或合金的永磁体表面进行热处理；所述热处理采用高真空热处理或微氧分压处理；本发明解决了较小规格产品合金膜制备困难的问题，多靶位设计可以同时实现单质成膜和多种合金成膜的灵活切换操作，合金膜的应用极大的降低了稀土用量，通过对镀膜后永磁体表面的耐高温物质附着和热处理控制氧分压操作，解决了粘连问题，热处理后永磁体矫顽力大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 稀土 永磁体 方法 | ||
【主权项】：
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