[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011324611.3 | 申请日： | 2020-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN112838163A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 崔允荣;金昇辰;李炳铉;朴相在 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：在衬底上的多个下电极；在相邻下电极之间并且包括金属材料的第一电极支撑件；在下电极和第一电极支撑件上以沿第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸的介电层；以及在介电层上的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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