[发明专利]一种硅化镍热处理工艺的检测方法在审
| 申请号： | 202011327546.X | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112462145A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 王韡祺;谢威 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅化镍热处理工艺的检测方法，提供硅衬底，在硅衬底上生长氧化层；在氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上沉积NiPt层；对NiPt层行退火处理，NiPt层的一部分与多晶硅层反应生成硅化镍层；去除剩余未反应的NiPt层；检测硅化镍层的电阻值。本发明通过在沉积NiPt前先生长氧化层,并沉积多晶硅，再进行NiPt沉积的方法，消除底层硅衬底的影响。在方块电阻量测前，增加去除NiPt的步骤，消除前层NiPt对量测结果的影响。从而使得量测结果及均一性更加精确，有利于提升硅化镍工艺的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅化镍 热处理 工艺 检测 方法 | ||
【主权项】：
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