[发明专利]一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法有效
| 申请号： | 202011329108.7 | 申请日： | 2020-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN112133640B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 黎超丰;冯小龙;章新立;林渊杰;林杰 | 申请（专利权）人： | 宁波康强电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 王玲华;洪珊珊 |
| 地址： | 315105 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 粗糙 侧壁 引线 框架 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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