[发明专利]一种液封熔体法生长锑化铝晶体的方法有效
申请号: | 202011332058.8 | 申请日: | 2020-11-24 |
公开(公告)号: | CN112458536B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 殷子昂;张香港;刘珂静;王涛 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C30B29/40 | 分类号: | C30B29/40;C30B11/00 |
代理公司: | 西安匠星互智知识产权代理有限公司 61291 | 代理人: | 陈星 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: |
本发明涉及一种锑化铝晶体液封熔体法生长方法,将氯化锂作为液封剂放入热解氮化硼坩埚中,高纯铝和高纯锑置于氮化硼坩埚中,氮化硅坩埚整体放入石英坩埚中,抽真空并使用氢氧焰焊接,然后升温到液封剂熔点,使液封剂包覆铝和锑,再升温到锑化铝熔点以上保温,使熔体均匀化,最后采用布里奇曼法生长,通过液封熔体法获得大尺寸单晶。本方法实现生长过程中液封剂包覆熔体,避免锑化铝生长过程中元素损失,实现锑化铝晶体与氮化硼坩埚之间无接触生长,抑制侧壁形核,并且生长结束后液封剂LiCl较LiCl‑KCl更容易被无水乙醇去除,使锑化铝晶锭易脱模,使氮化硼坩埚可以重复使用,降低成本,制备的锑化铝晶体,无明显包裹物存在,晶粒尺寸大于5×5mm |
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搜索关键词: | 一种 液封熔体法 生长 锑化铝 晶体 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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