[发明专利]半导体结构及其形成方法、SRAM器件在审
| 申请号： | 202011340562.2 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114551356A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092;H01L27/11 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法、SRAM器件，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的多个沟道叠层以及横跨多个沟道叠层的伪栅结构，伪栅结构覆盖沟道叠层的部分顶壁和部分侧壁，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层；形成覆盖伪栅结构的侧壁，且露出伪栅结构顶部的层间介质层；去除伪栅结构，在层间介质层中形成栅极开口；去除沟道叠层顶部的一个或多个沟道层；去除牺牲层，形成通道；在栅极开口和通道中形成栅极结构。本发明实施例去除所述沟道叠层顶部的一个或多个所述沟道层，从而半导体结构中的沟道层的数量减少，进而在半导体结构工作时，所述半导体结构的沟道的整体导通电流减小，使得半导体结构能够满足工艺需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 sram 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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