[发明专利]一种高精密引线二次蚀刻成型方法在审
申请号: | 202011342154.0 | 申请日: | 2020-11-25 |
公开(公告)号: | CN112542389A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 戚胜利;王健;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请(专利权)人: | 上达电子(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人: | 张帅 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安区沙井街道黄*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种高精密引线二次蚀刻成型方法,属于高精密线路板技术领域。在设计阶段先将高精密线路板上的引线连接至芯片位置内部线路或将芯片两侧的引线互相连接,经过一次蚀刻,形成线路后再次涂布光刻胶,对引线连接位置进行二次曝光,再将二次曝光处的光刻胶显影掉,再进行二次蚀刻,形成最终的引线形状,获得理想的高精密引线先端形状蚀刻效果。本发明的有益效果是:在一次蚀刻时蚀刻位置为等间距的线距,蚀刻效果良好;在二次蚀刻引线先端成型时只受到一个方向蚀刻液的侵蚀作用,邦定时获得更大的焊盘邦定面积,增大焊接后引线与芯片焊盘的结合力,减少不良品的漏检现象,提高了邦定作业时的产品良率和可靠性。提高了产品良率与可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 精密 引线 二次 蚀刻 成型 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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