[发明专利]半导体器件中失效点的定位方法有效
| 申请号： | 202011344517.4 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112420542B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 苏凤梅 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件中失效点的定位方法，涉及半导体制造领域。该半导体器件中失效点的定位方法包括确定半导体器件中发生桥接的两个膜层，两个膜层的材料相同；在第一膜层的起始端与第二膜层之间加第一电压，在第一膜层的末端与第二膜层之间加第二电压；获取第一膜层的起始端与第二膜层之间的电流，记为第一电流，以及，获取第一膜层的末端与第二膜层之间的电流，记为第二电流；根据第一膜层的长度、薄膜电阻率、第一电压、第一电流、第二电压、第二电流，确定第一膜层中失效点的位置；解决了目前失效分析中不能通过FIB机台做VC方法定位出失效点的问题；达到了简便有效地定位失效点的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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