[发明专利]半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202011344666.0 | 申请日： | 2020-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN114542425A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 徐范植;高建峰;丁云凌;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | F04B37/14 | 分类号： | F04B37/14;F04B39/06;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备，应用于半导体领域，包括：真空泵本体和加热装置，加热装置包括：外部电源，设置于真空泵本体外；充电板，设置于真空泵本体内，通过外部电源对充电板进行充电；发热结构，设置于真空泵本体的电机转子上，且发热结构与充电板连接，充电板用于提供使发热结构发热的电源输入。通过本发明抑制了副产物在泵内沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 加工 工艺 真空 装置 工艺设备 | ||
【主权项】：
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