[发明专利]一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法在审
| 申请号： | 202011354513.4 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112410869A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王坤鹏;张建秀;刘泳;任衍彪;李凤丽;徐本燕;朱雨凤 | 申请（专利权）人： | 枣庄学院 |
| 主分类号： | C30B13/02 | 分类号： | C30B13/02;C30B29/14;C30B29/30 |
| 代理公司： | 枣庄小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 37282 | 代理人： | 郑素娟 |
| 地址： | 277100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种助熔剂倒提拉晶体生长的方法。制备含有助熔剂的多晶料棒；在光学浮区炉中，以高于正常生长速度约50%的速度，快速进行预生长；快速预生长即将结束时，即料棒头部仅剩约0.5cm时，在温度和转速不变的情况下，停止熔区移动约1分钟；将得到的预生长多晶料棒作为熔体部分，将剩余的料棒头作为籽晶，开始反向移动熔区，熔区移动的速率降为0.5mm/min，即采用光学浮区炉实现了TSSG顶部籽晶法生长的效果，本专利称之为助熔剂倒提拉法；在所述的两个完全相反的生长过程中，始终保持固液界面平缓连接，全程不中断，直至生长过程结束。本方法制备的单晶具有工艺简单，周期短和稳定性好的特点，所生长的晶体缺陷浓度低、光学质量高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔剂 倒提拉 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
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