[发明专利]薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置在审

专利信息
申请号: 202011358012.3 申请日: 2020-11-27
公开(公告)号: CN112992921A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 李道炯;丁灿墉;白朱爀 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 薄膜晶体管阵列基板和包括该基板的电子装置。提供了一种薄膜晶体管TFT阵列基板和包括该基板的电子装置。所述TFT阵列包括:第一TFT的第一有源层,所述第一有源层是包括钼的氧化物半导体层;第二TFT的第二有源层,所述第二有源层是氧化物半导体层并且布置在缓冲层上与第一有源层间隔开;第一栅绝缘膜,其与第一有源层和第二有源层交叠;第一TFT的第一栅极,所述第一栅极与第一栅绝缘膜和第一有源层的一部分交叠;以及第二TFT的第二栅极,所述第二栅极与第一栅绝缘膜交叠,与第一栅极间隔开,并且与第二有源层的一部分交叠。因此,第一TFT具有高的亚阈值参数,第二TFT具有高迁移率。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 包括 电子 装置
【主权项】:
暂无信息
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