[发明专利]电极结构及其制备方法、薄膜晶体管在审
| 申请号： | 202011361178.0 | 申请日： | 2020-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112466931A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘文波;黄远科 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电极结构，包括：至少一缓冲层，设置于一衬底上；以及，至少一电极，设置于一所述缓冲层背离所述衬底的一侧表面上；其中，所述电极的边缘上设置一防反射层，所述防反射层被配置为围绕所述电极的边缘设置并覆盖所述边缘，且所述防反射层延伸至与一所述缓冲层接触连接；并且，所述防反射层背离电极一侧的外表面与电极接触缓冲层的表面相接触并形成一底切结构。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 结构 及其 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司，未经TCL华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011361178.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
